新HY 现代内存编号意义

<p>        HY AA B CC DD E F G HH I-XX<br />        AA －－ 57：SDRAM                  （产品种类）<br />        <br />        B  －－ V ：CMOS,3&#46;3v              （生成工艺/耗电）<br />        <br />        CC －－ 64：64M  4K Refresh<br />                65：64M  8K Refresh<br />                28：128M 4K Refresh        （容量/刷新模式）<br />                56：256M 8K Refresh<br />        <br />        DD －－  4：&times;4<br />                 8：&times;8 <br />                 16：&times;16        （数据带宽）<br />                 32：&times;32<br />        <br />        E  －－ 1：2Bank        （组成模式）<br />                2：4Bank<br />         <br />        F  －－ A/B/C   ：1/2/3        （版本信息）<br />        <br />        G  －－ 0：LVTTL        （接口界面） <br />                1：SSTL_3<br />        <br />        HH －－   HEI     HME （功率消耗）<br />        BLANK:1st Gen    H :1st Gen<br />        A    :2nd Gen    HA:2nd Gen<br />        B    :3rd Gen    HB:3rd Gen<br />        C    :4th Gen    HC:4th Gen<br />        <br />        I  －－ T：TSOP<br />        Q：TQFP                   （封装形式）<br />        I：BLP<br />        L：CSP（LF-CSP）<br />        <br />        XX －－ 5 ：200 MHz                （速度）<br />        55：183 MHz<br />        6 ：166 MHz<br />        7 ：143 MHz<br />        K ：PC133,CL2<br />        H ：PC133,CL3<br />        8 ：125 MHz<br />        P ：PC100,CL2<br />        S ：PC100,CL3<br />        10：100 MHz<span style="display: none"> </span></p>